BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣ ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | ନେକ୍ସପେରିଆ |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | ମୋସଫେଟ୍ |
| RoHS: | ବିବରଣୀ |
| ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: | Si |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶୈଳୀ: | ଏସଏମଡି/ଏସଏମଟି |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍: | LFPAK-56D-8 |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଧ୍ରୁବତା: | ଏନ-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟା: | ୨ ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| Vds - ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ: | ୬୦ ଭି |
| ଆଇଡି - ନିରନ୍ତର ଡ୍ରେନ କରେଣ୍ଟ: | ୨୨ କ |
| ରାସ୍ତା ଚାଲୁ - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ: | 32 ଏମ୍ଓହମ୍ସ |
| Vgs - ଗେଟ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ: | - ୧୦ ୱିଟ୍, + ୧୦ ୱିଟ୍ |
| Vgs th - ଗେଟ-ସୋର୍ସ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ: | ୧.୪ ଭି |
| Qg - ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ: | ୭.୮ ଏନସି |
| ସର୍ବନିମ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | - ୫୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | + ୧୭୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ଅପଚୟ: | ୩୮ ୱାଟ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମୋଡ୍: | ଉନ୍ନତି |
| ଯୋଗ୍ୟତା: | AEC-Q101 |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | କଟ୍ ଟେପ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସରିଲ୍ |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | ନେକ୍ସପେରିଆ |
| ବିନ୍ୟାସକରଣ: | ଦ୍ୱୈତ |
| ଶରତ ସମୟ: | ୧୦.୬ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ଉଠିବା ସମୟ: | ୧୧.୩ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ଫ୍ୟାକ୍ଟ୍ରି ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | ୧୫୦୦ |
| ଉପବର୍ଗ: | MOSFET ଗୁଡ଼ିକ |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର: | ୨ ଏନ-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ସାଧାରଣତଃ ବନ୍ଦ ହେବା ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୧୪.୯ ଏନସେ |
| ସାଧାରଣତଃ ଚାଲୁ ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୭.୧ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ଭାଗ # ଉପନାମ: | ୯୩୪୦୬୬୯୭୭୧୧୫ |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | ୦.୦୦୩୯୫୮ ଆଉଜ |
♠ BUK9K35-60E ଡୁଆଲ୍ N-ଚ୍ୟାନେଲ୍ 60 V, 35 mΩ ଲଜିକ୍ ଲେବଲ୍ MOSFET
TrenchMOS ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରି ଏକ LFPAK56D (ଡୁଆଲ୍ ପାୱାର-SO8) ପ୍ୟାକେଜରେ ଡୁଆଲ୍ ଲଜିକ୍ ସ୍ତରର N-ଚ୍ୟାନେଲ୍ MOSFET। ଏହି ଉତ୍ପାଦକୁ ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ଗୁଡ଼ିକରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ AEC Q101 ମାନକ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ଯୋଗ୍ୟତା ଦିଆଯାଇଛି।
• ଡୁଆଲ୍ MOSFET
• Q101 ଅନୁପାଳନକାରୀ
• ପୁନରାବୃତ୍ତି ହିମସ୍ଖଳନ ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ
• ୧୭୫ ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସ୍ ରେଟିଂ ଯୋଗୁଁ ତାପଜ ଭାବରେ ଦାବି କରୁଥିବା ପରିବେଶ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ।
• ୧୭୫ ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ୦.୫ V ରୁ ଅଧିକ VGS(ତମ) ରେଟିଂ ସହିତ ସତ୍ୟ ଲଜିକ୍ ସ୍ତର ଗେଟ୍।
• 12 V ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ସିଷ୍ଟମ୍
• ମୋଟର, ଲ୍ୟାମ୍ପ ଏବଂ ସୋଲେନଏଡ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ
• ପରିବହନ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ
• ଅଲ୍ଟ୍ରା ହାଇ ପରଫରମାନ୍ସ ପାୱାର ସୁଇଚିଂ
