IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣବତ୍ତା ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | ଇନଫିନନ୍ | |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | MOSFET |
| ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: | Si |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶ Style ଳୀ: | SMD / SMT |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍: | TO-252-3 |
| ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପୋଲାରିଟି: | N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ | |
| ଚ୍ୟାନେଲ ସଂଖ୍ୟା: | 1 ଚ୍ୟାନେଲ୍ | |
| Vds - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍: | 40 ଭି |
| Id - କ୍ରମାଗତ ଡ୍ରେନ୍ କରେଣ୍ଟ୍: | 50 A। |
| Rds On - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ: | 7.2 mOhms |
| Vgs - ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - ଗେଟ୍-ଉତ୍ସ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍: | 2 ଭି |
| Qg - ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ: | 22.4 nC |
| ସର୍ବନିମ୍ନ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା: | - 55 C |
| ସର୍ବାଧିକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା: | + 175 C |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର: | 46 W |
| ଚ୍ୟାନେଲ ମୋଡ୍: | ବୃଦ୍ଧି |
| ଯୋଗ୍ୟତା: | AEC-Q101 | |
| ବାଣିଜ୍ୟ ନାମ: | OptiMOS | |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ | |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ଟେପ୍ କାଟ | |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସ୍ ରିଲ୍ | |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | ଇନଫିନନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି | |
| ବିନ୍ୟାସ: | ଏକକ |
| ପତନ ସମୟ: | 6 ns |
| ଉଚ୍ଚତା: | 2.3 ମିମି |
| ଦ Length ର୍ଘ୍ୟ: | 6.5 ମିମି |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | MOSFET |
| ଉଠିବା ସମୟ: | 7 ns |
| କ୍ରମ: | OptiMOS-T2 | |
| କାରଖାନା ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | 2500 |
| ଉପ ଶ୍ରେଣୀ: | MOSFETs | |
| ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର: | 1 N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ | |
| ସାଧାରଣ ଟର୍ନ୍ ଅଫ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | 5 ns |
| ସାଧାରଣ ଟର୍ନ୍ ଅନ୍ ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | 5 ns |
| ମୋଟେଇ: | 6.22 ମିମି |
| ଭାଗ # ଛଦ୍ମନାମ: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 | |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | 0.011640 ଓଜ୍ | |
• N- ଚ୍ୟାନେଲ୍ - ଉନ୍ନତି ମୋଡ୍ |
• AEC ଯୋଗ୍ୟ
• MSL1 260 ° C ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଶିଖର ପ୍ରତିଫଳନ |
• 175 ° C ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା |
ସବୁଜ ଉତ୍ପାଦ (RoHS ଅନୁପଯୁକ୍ତ)
100% ଆଭାଲାନ୍ସ ପରୀକ୍ଷା କରାଯାଇଛି |
