IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣ ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | ଇନଫିନିଅନ୍ |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: | Si |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶୈଳୀ: | ଏସଏମଡି/ଏସଏମଟି |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍: | TO-252-3 |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଧ୍ରୁବତା: | ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟା: | 1 ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| Vds - ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ: | ୧୫୦ ଭି |
| ଆଇଡି - ନିରନ୍ତର ଡ୍ରେନ କରେଣ୍ଟ: | ୧୩ କ |
| ରାସ୍ତା ଚାଲୁ - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ: | ୫୮୦ ଏମ୍ଓହମ୍ସ |
| Vgs - ଗେଟ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - ଗେଟ-ସୋର୍ସ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ: | ୪ ଭି |
| Qg - ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ: | ୬୬ ଏନସି |
| ସର୍ବନିମ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | - ୫୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | + ୧୭୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ଅପଚୟ: | ୧୧୦ ୱାଟ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମୋଡ୍: | ଉନ୍ନତି |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | କଟ୍ ଟେପ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସରିଲ୍ |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | ଇନଫିନନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିସ୍ |
| ବିନ୍ୟାସକରଣ: | ସିଙ୍ଗଲ୍ |
| ଶରତ ସମୟ: | ୩୭ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ଅଗ୍ରଗାମୀ ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟନ୍ସ - ସର୍ବନିମ୍ନ: | ୩.୬ ସ |
| ଉଚ୍ଚତା: | ୨.୩ ମିମି |
| ଲମ୍ବ: | ୬.୫ ମିମି |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ଉଠିବା ସମୟ: | ୩୬ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ଫ୍ୟାକ୍ଟ୍ରି ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | ୨୦୦୦ |
| ଉପବର୍ଗ: | MOSFET ଗୁଡ଼ିକ |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର: | ୧ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ପ୍ରକାର: | ପ୍ରାରମ୍ଭିକ |
| ସାଧାରଣତଃ ବନ୍ଦ ହେବା ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୫୩ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ସାଧାରଣତଃ ଚାଲୁ ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୧୪ ନିସ୍ |
| ପ୍ରସ୍ଥ: | ୬.୨୨ ମିମି |
| ଭାଗ # ଉପନାମ: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | ୦.୦୧୧୬୪୦ ଆଉଜ |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® ପାୱାର MOSFET
ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ରେକ୍ଟିଫାୟରର ପଞ୍ଚମ ପିଢ଼ିର HEXFETs ଉନ୍ନତ ବ୍ୟବହାର କରେପ୍ରତି ସର୍ବନିମ୍ନ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଅନ୍-ରେଜିଷ୍ଟନ୍ସ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କୌଶଳସିଲିକନ୍ କ୍ଷେତ୍ର। ଏହି ଲାଭ, ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚିଂ ଗତି ସହିତ ମିଶ୍ରିତଏବଂ HEXFET Power MOSFET ଗୁଡ଼ିକ କଠିନ ଡିଭାଇସ୍ ଡିଜାଇନ୍ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା, ଡିଜାଇନରଙ୍କୁ ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ଦକ୍ଷ ଡିଭାଇସ୍ ପ୍ରଦାନ କରେବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ।
D-PAK ବାଷ୍ପ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ବ୍ୟବହାର କରି ପୃଷ୍ଠ ସ୍ଥାପନ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି,ଇନଫ୍ରାରେଡ୍, କିମ୍ବା ତରଙ୍ଗ ସୋଲଡରିଂ କୌଶଳ। ସିଧା ଲିଡ୍ ସଂସ୍କରଣ(IRFU ସିରିଜ୍) ହୋଲ୍-ଥ୍ରୁ ମାଉଣ୍ଟିଂ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ ପାଇଁ। ଶକ୍ତିସାଧାରଣ ପୃଷ୍ଠରେ 1.5 ୱାଟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅପଚୟ ସ୍ତର ସମ୍ଭବପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକୁ ସ୍ଥାପନ କରନ୍ତୁ।
ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍
୧୭୫° ସେଲ୍ସିୟସ୍ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା
ପୃଷ୍ଠ ମାଉଣ୍ଟ (IRFR6215)
ସିଧା ସୀସା (IRFU6215)
ଉନ୍ନତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା
ଦ୍ରୁତ ପରିବର୍ତ୍ତନ
ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ହିମସ୍ଖଳନ ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ
ସୀସା-ମୁକ୍ତ
