MURS120T3G ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ 200V 1A ଅଲଟ୍ରାଫାଷ୍ଟ
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣ ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | ଅନ୍ସେମି |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶୈଳୀ: | ଏସଏମଡି/ଏସଏମଟି |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍: | ଏସଏମବି-୨ |
| Vr - ବିପରୀତ ଭୋଲଟେଜ: | ୨୦୦ ଭି |
| ଯଦି - ଫରୱାର୍ଡ କରେଣ୍ଟ: | ୨ କ |
| ପ୍ରକାର: | ଦ୍ରୁତ ପୁନରୁଦ୍ଧାର ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ |
| ବିନ୍ୟାସକରଣ: | ସିଙ୍ଗଲ୍ |
| Vf - ଫରୱାର୍ଡ ଭୋଲଟେଜ: | ୮୭୫ ଏମ୍ଭି |
| ସର୍ବାଧିକ ଉର୍ଦ୍ଧ୍ୱ ଧାର: | ୪୦ କ |
| Ir - ବିପରୀତ କରେଣ୍ଟ: | ୨ ୟୁଏ |
| ପୁନରୁଦ୍ଧାର ସମୟ: | ୩୫ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ସର୍ବନିମ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | - ୬୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | + ୧୭୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ସିରିଜ୍: | ମର୍ସ୧୨୦ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | କଟ୍ ଟେପ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସରିଲ୍ |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | ଅନ୍ସେମି |
| ଉଚ୍ଚତା: | ୨.୧୩ ମିମି |
| ଲମ୍ବ: | ୪.୩୨ ମିମି |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ଅପଚୟ: | - |
| ଉତ୍ପାଦ: | ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ |
| ଫ୍ୟାକ୍ଟ୍ରି ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | ୨୫୦୦ |
| ଉପବର୍ଗ: | ଡାୟୋଡ୍ସ ଏବଂ ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ସ |
| ସମାପ୍ତି ଶୈଳୀ: | ଏସଏମଡି/ଏସଏମଟି |
| ପ୍ରସ୍ଥ: | ୩.୫୬ ମିମି |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | ୦.୦୦୭୭୬୦ ଆଉଜ |
♠ ସରଫେସ୍ ମାଉଣ୍ଟ ଅଲଟ୍ରାଫାଷ୍ଟ ପାୱାର ରେକ୍ଟିଫାୟର୍ସ
ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସଂଶୋଧନ, କିମ୍ବା ସରଫେସ୍ ମାଉଣ୍ଟ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ରେ ଫ୍ରି ହ୍ୱିଲିଂ ଏବଂ ପ୍ରୋଟେକ୍ସନ୍ ଡାୟୋଡ୍ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ଭାବରେ ଉପଯୁକ୍ତ, ଯେଉଁଠାରେ କମ୍ପାକ୍ଟ ଆକାର ଏବଂ ଓଜନ ସିଷ୍ଟମ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
• J−Bend ଲିଡ୍ ସହିତ ଛୋଟ କମ୍ପାକ୍ଟ ପୃଷ୍ଠ ମାଉଣ୍ଟେବଲ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍
• ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ପରିଚାଳନା ପାଇଁ ଆୟତାକାର ପ୍ୟାକେଜ୍
• ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ଲାସ୍ ପାସିଭେଟେଡ୍ ଜଙ୍କସନ୍
• ନିମ୍ନ ଅଗ୍ରଗାମୀ ଭୋଲଟେଜ ଡ୍ରପ୍ (୦.୭୧ ରୁ ୧.୦୫ V ସର୍ବାଧିକ @ ୧.୦ A, TJ = ୧୫୦°C)
• ଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ NRVUS ଏବଂ SURS8 ଉପସର୍ଗ ଯାହା ପାଇଁ ଅନନ୍ୟ ସ୍ଥାନ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଆବଶ୍ୟକତା ଆବଶ୍ୟକ; AEC−Q101 ଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ PPAP ସକ୍ଷମ
• ଏହି ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ Pb−ମୁକ୍ତ ଏବଂ RoHS ଅନୁପାଳନକାରୀ
• କେସ୍: ଇପକ୍ସି, ଛାଞ୍ଚିତ
• ଓଜନ: 95 ମିଗ୍ରା (ପ୍ରାୟ)
• ଶେଷ: ସମସ୍ତ ବାହ୍ୟ ପୃଷ୍ଠ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧୀ ଏବଂ ଟର୍ମିନାଲ ଲିଡ୍ ସହଜରେ ସୋଲର୍ ହୋଇପାରିବ।
• ସୋଲଡରିଂ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟରେ ସୀସା ଏବଂ ମାଉଣ୍ଟିଂ ପୃଷ୍ଠ ତାପମାତ୍ରା: 10 ସେକେଣ୍ଡ ପାଇଁ ସର୍ବାଧିକ 260°C
• ପୋଲାରଟି: ପୋଲାରଟି ବ୍ୟାଣ୍ଡ କ୍ୟାଥୋଡ୍ ଲିଡ୍ ସୂଚିତ କରେ
• ESD ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ:
♦ ମାନବ ଶରୀର ମଡେଲ = 3B (> 8 kV)
♦ ମେସିନ୍ ମଡେଲ୍ = C (> 400 V)
