NDS331N MOSFET N-Ch LL FET ଏନହାନ୍ସମେଣ୍ଟ ମୋଡ୍
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣ ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | ଅନ୍ସେମି |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: | Si |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶୈଳୀ: | ଏସଏମଡି/ଏସଏମଟି |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍: | ସଟ୍-୨୩-୩ |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଧ୍ରୁବତା: | ଏନ-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟା: | 1 ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| Vds - ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ: | ୨୦ ଭି |
| ଆଇଡି - ନିରନ୍ତର ଡ୍ରେନ କରେଣ୍ଟ: | ୧.୩ କ |
| ରାସ୍ତା ଚାଲୁ - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ: | ୨୧୦ ଏମ୍ଓହମ୍ସ |
| Vgs - ଗେଟ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - ଗେଟ-ସୋର୍ସ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ: | ୫୦୦ ଏମ୍ଭି |
| Qg - ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ: | ୫ ଏନସି |
| ସର୍ବନିମ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | - ୫୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | + ୧୫୦ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ଅପଚୟ: | ୫୦୦ ମେଗାୱାଟ |
| ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମୋଡ୍: | ଉନ୍ନତି |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | କଟ୍ ଟେପ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସରିଲ୍ |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | ଅନସେମି / ଫେୟାରଚାଇଲ୍ଡ |
| ବିନ୍ୟାସକରଣ: | ସିଙ୍ଗଲ୍ |
| ଶରତ ସମୟ: | ୨୫ ନିସ୍ସେକେଣ୍ଡ |
| ଉଚ୍ଚତା: | ୧.୧୨ ମିମି |
| ଲମ୍ବ: | ୨.୯ ମିମି |
| ଉତ୍ପାଦ: | MOSFET ଛୋଟ ସିଗନାଲ |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ଉଠିବା ସମୟ: | ୨୫ ନିସ୍ସେକେଣ୍ଡ |
| ସିରିଜ୍: | ଏନଡିଏସ୍୩୩୧ଏନ |
| ଫ୍ୟାକ୍ଟ୍ରି ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | ୩୦୦୦ |
| ଉପବର୍ଗ: | MOSFET ଗୁଡ଼ିକ |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର: | ୧ ଏନ-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ପ୍ରକାର: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ସାଧାରଣତଃ ବନ୍ଦ ହେବା ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୧୦ ନିସ୍ସେକେଣ୍ଡ |
| ସାଧାରଣତଃ ଚାଲୁ ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୫ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ପ୍ରସ୍ଥ: | ୧.୪ ମିମି |
| ଭାଗ # ଉପନାମ: | NDS331N_NL |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | ୦.୦୦୧୧୨୯ ଆଉଜ |
♠ N-ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଲଜିକ୍ ଲେବଲ୍ ଏନହାନ୍ସମେଣ୍ଟ୍ ମୋଡ୍ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର୍
ଏହି N−Channel ଲଜିକ୍ ଲେବଲ୍ ଏନହାନ୍ସମେଣ୍ଟ୍ସ ମୋଡ୍ ପାୱାର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ON ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରର ମାଲିକାନା, ଉଚ୍ଚ କୋଷ ଘନତା, DMOS ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦିତ ହୁଏ। ଏହି ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ ଘନତା ପ୍ରକ୍ରିୟା ବିଶେଷ ଭାବରେ ଅନ-ଷ୍ଟେଟ୍ ପ୍ରତିରୋଧକୁ କମ କରିବା ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରାଯାଇଛି। ଏହି ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ନୋଟବୁକ୍ କମ୍ପ୍ୟୁଟର, ପୋର୍ଟେବଲ୍ ଫୋନ୍, PCMCIA କାର୍ଡ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ବ୍ୟାଟେରୀ ଚାଳିତ ସର୍କିଟରେ କମ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ବିଶେଷ ଭାବରେ ଉପଯୁକ୍ତ ଯେଉଁଠାରେ ଏକ ଅତି ଛୋଟ ଆଉଟଲାଇନ୍ ପୃଷ୍ଠ ମାଉଣ୍ଟ ପ୍ୟାକେଜରେ ଦ୍ରୁତ ସ୍ୱିଚିଂ ଏବଂ କମ୍ ଇନ-ଲାଇନ୍ ପାୱାର କ୍ଷତି ଆବଶ୍ୟକ।
• ୧.୩ କ, ୨୦ ୱ୍ଲ
♦ RDS(ଚାଲୁ) = 0.21 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(ଚାଲୁ) = 0.16 @ VGS = 4.5 V
• ଶିଳ୍ପ ମାନକ ଆଉଟଲାଇନ୍ SOT−23 ପୃଷ୍ଠ ମାଉଣ୍ଟ ପ୍ୟାକେଜ୍ ବ୍ୟବହାର
ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ତାପଜ ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷମତା ପାଇଁ ମାଲିକାନା SUPERSOT-3 ଡିଜାଇନ୍
• ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ RDS (ଚାଲୁ) ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ଘନତା କୋଷ ଡିଜାଇନ୍
• ଅସାଧାରଣ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ସର୍ବାଧିକ ଡିସି କରେଣ୍ଟ କ୍ଷମତା
• ଏହା ଏକ Pb−ମୁକ୍ତ ଡିଭାଇସ୍
