SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣ ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | ବିଷୟ |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | ମୋସଫେଟ୍ |
| RoHS: | ବିବରଣୀ |
| ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: | Si |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶୈଳୀ: | ଏସଏମଡି/ଏସଏମଟି |
| ପ୍ୟାକେଜ୍/କେସ୍: | TO-252-3 |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ଧ୍ରୁବତା: | ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟା: | 1 ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| Vds - ଡ୍ରେନ୍-ସୋର୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ: | ୬୦ ଭି |
| ଆଇଡି - ନିରନ୍ତର ଡ୍ରେନ କରେଣ୍ଟ: | ୫୦ କ |
| ରାସ୍ତା ଚାଲୁ - ଡ୍ରେନ୍-ଉତ୍ସ ପ୍ରତିରୋଧ: | ୧୫ ଏମ୍ଓହମ୍ସ |
| Vgs - ଗେଟ୍-ସୋର୍ସ ଭୋଲଟେଜ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - ଗେଟ-ସୋର୍ସ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଭୋଲଟେଜ: | ୩ ଭି |
| Qg - ଗେଟ୍ ଚାର୍ଜ: | ୪୦ ଏନସି |
| ସର୍ବନିମ୍ନ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | - ୫୫ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା: | + ୧୫୦ ସେଲ୍ସିୟସ୍ |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ଅପଚୟ: | ୧୧୩ ୱାଟ୍ |
| ଚ୍ୟାନେଲ୍ ମୋଡ୍: | ଉନ୍ନତି |
| ବାଣିଜ୍ୟ ନାମ: | ଟ୍ରେଞ୍ଚଫେଟ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | କଟ୍ ଟେପ୍ |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସରିଲ୍ |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | ଭିଶାୟ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର୍ |
| ବିନ୍ୟାସକରଣ: | ସିଙ୍ଗଲ୍ |
| ଶରତ ସମୟ: | 30 ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ଅଗ୍ରଗାମୀ ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟନ୍ସ - ସର୍ବନିମ୍ନ: | ୬୧ ସ |
| ଉଚ୍ଚତା: | ୨.୩୮ ମିମି |
| ଲମ୍ବ: | ୬.୭୩ ମିମି |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | ମୋସଫେଟ୍ |
| ଉଠିବା ସମୟ: | ୯ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ସିରିଜ୍: | ଏସୟୁଡି |
| ଫ୍ୟାକ୍ଟ୍ରି ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | ୨୦୦୦ |
| ଉପବର୍ଗ: | MOSFET ଗୁଡ଼ିକ |
| ଟ୍ରାଞ୍ଜିଷ୍ଟର ପ୍ରକାର: | ୧ ପି-ଚ୍ୟାନେଲ୍ |
| ସାଧାରଣତଃ ବନ୍ଦ ହେବା ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୬୫ ଏନସେକେଣ୍ଡ |
| ସାଧାରଣତଃ ଚାଲୁ ବିଳମ୍ବ ସମୟ: | ୮ ନିସ୍ |
| ପ୍ରସ୍ଥ: | ୬.୨୨ ମିମି |
| ଭାଗ # ଉପନାମ: | SUD50P06-15-BE3 |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | ୩୩୦ ମିଗ୍ରା |
• TrenchFET® ପାୱାର MOSFET
• ଲୋଡ୍ ସ୍ୱିଚ୍
