VNB35N07TR-E ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍ ଆଇସି - ଶକ୍ତି ବଣ୍ଟନ OMNIFETII ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ AUTO PROTECT Pwr MOSFET |
♠ ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
| ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣ | ଗୁଣବତ୍ତା ମୂଲ୍ୟ |
| ଉତ୍ପାଦକ: | STMicroelectronics |
| ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଗ: | ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍ ଆଇସି - ଶକ୍ତି ବଣ୍ଟନ | |
| ପ୍ରକାର: | ନିମ୍ନ ପାର୍ଶ୍ୱ | |
| ଆଉଟପୁଟ୍ ସଂଖ୍ୟା: | 1 ଆଉଟପୁଟ୍ |
| ସାମ୍ପ୍ରତିକ ସୀମା: | 35 A। |
| ପ୍ରତିରୋଧ ଉପରେ - ସର୍ବାଧିକ: | 28 mOhms |
| ସମୟ - ସର୍ବାଧିକ: | 200 ns |
| ଅଫ୍ ଟାଇମ୍ - ସର୍ବାଧିକ: | 1 ଆମ |
| ଅପରେଟିଂ ଯୋଗାଣ ଭୋଲଟେଜ୍: | 28 ଭି |
| ସର୍ବନିମ୍ନ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା: | - 40 C |
| ସର୍ବାଧିକ ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା: | + 150 C |
| ମାଉଣ୍ଟିଂ ଶ Style ଳୀ: | SMD / SMT |
| ପ୍ୟାକେଜ୍ / କେସ୍: | D2PAK-3 | |
| କ୍ରମ: | VNB35N07-E | |
| ଯୋଗ୍ୟତା: | AEC-Q100 | |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ରିଲ୍ | |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ଟେପ୍ କାଟ | |
| ପ୍ୟାକେଜିଂ: | ମାଉସ୍ ରିଲ୍ | |
| ବ୍ରାଣ୍ଡ: | STMicroelectronics |
| ଆର୍ଦ୍ରତା ସମ୍ବେଦନଶୀଳ: | ହଁ |
| ପିଡି - ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର: | 125000 ମେଗାୱାଟ | |
| ଉତ୍ପାଦ ପ୍ରକାର: | ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍ ଆଇସି - ଶକ୍ତି ବଣ୍ଟନ | |
| କାରଖାନା ପ୍ୟାକ୍ ପରିମାଣ: | 1000 |
| ଉପ ଶ୍ରେଣୀ: | ଆଇସି ସୁଇଚ୍ କରନ୍ତୁ | |
| ୟୁନିଟ୍ ଓଜନ: | 0.079014 ଓଜ୍ | |
♠ OMNIFET: ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ୱୟଂ ସଂରକ୍ଷିତ ଶକ୍ତି MOSFET |
VNP35N07-E, VNB35N07-E ଏବଂ VNV35N07-E ହେଉଛି STMicroelectronics VIPower® ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରି ନିର୍ମିତ ମୋନୋଲିଥିକ୍ ଉପକରଣ, ଯାହା ଡିସିରେ ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ପାୱାର୍ MOSFET ଗୁଡ଼ିକୁ 50 KHz ପ୍ରୟୋଗରେ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ ଉଦ୍ଦିଷ୍ଟ |
ବିଲ୍ଟ-ଇନ୍ ଥର୍ମାଲ୍ ବନ୍ଦ, ର line ଖ୍ୟ କରେଣ୍ଟ୍ ସୀମିତତା ଏବଂ ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ କ୍ଲମ୍ପ ଚିପକୁ କଠିନ ପରିବେଶରେ ସୁରକ୍ଷା ଦେଇଥାଏ |
ଇନପୁଟ୍ ପିନରେ ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପରେ ନଜର ରଖି ତ୍ରୁଟି ମତାମତ ଚିହ୍ନଟ କରାଯାଇପାରିବ |
• ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଯୋଗ୍ୟ |
ର Line ଖ୍ୟ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ସୀମା |
ଥର୍ମାଲ୍ ବନ୍ଦ |
ସର୍ଟ ସର୍କିଟ ସୁରକ୍ଷା |
ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ କ୍ଲମ୍ପ୍ |
ଇନପୁଟ୍ ପିନରୁ କମ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଅଙ୍କିତ |
ଇନପୁଟ୍ ପିନ ମାଧ୍ୟମରେ ଡାଇଗ୍ନୋଷ୍ଟିକ୍ ମତାମତ |
• ESD ସୁରକ୍ଷା
ପାୱାର୍ MOSFET (ଆନାଗଲ୍ ଡ୍ରାଇଭିଂ) ର ଗେଟ୍ କୁ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରବେଶ |
ମାନକ ଶକ୍ତି MOSFET ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ |
ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ TO-220 ପ୍ୟାକେଜ୍ |
2002/95 / EC ୟୁରୋପୀୟ ନିର୍ଦ୍ଦେଶନାମା ସହିତ ଅନୁପଯୁକ୍ତ |
